Add to ORKG早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1783号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-24 ; 早大学位記番号:新3585doctoral thesi
早稲田大学博士(文学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1864号 ; 学位の種類:博士(文学) ; 授与年月日:2004/2/12 ; 早大学位記番号:新3727doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1708号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3456doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙783号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-08 ; 早大学位記番号:新1628 ; 理工学図書館請求番号:1394thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第14154号工博第2988号新制||工||1444(附属図書館)UT51-2008-N471京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 髙田 光雄, ...
早稲田大学博士(理学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1268号 ; 学位の種類:博士(理学) ; 授与年月日:1997-03-06 ; 早大学位記番号:新2472 ; 理工学図書館請求番号:2111...
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1161号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/2/8 ; 早大学位記番号:新2288 ; 理工学図書館請求番号:1949本文PDFは平成22年度国...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1783号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-24 ; 早大学位記番号:新3585doctoral thesi
早稲田大学博士(文学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1864号 ; 学位の種類:博士(文学) ; 授与年月日:2004/2/12 ; 早大学位記番号:新3727doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1708号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3456doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙783号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-08 ; 早大学位記番号:新1628 ; 理工学図書館請求番号:1394thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第14154号工博第2988号新制||工||1444(附属図書館)UT51-2008-N471京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 髙田 光雄, ...
早稲田大学博士(理学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1268号 ; 学位の種類:博士(理学) ; 授与年月日:1997-03-06 ; 早大学位記番号:新2472 ; 理工学図書館請求番号:2111...
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1161号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/2/8 ; 早大学位記番号:新2288 ; 理工学図書館請求番号:1949本文PDFは平成22年度国...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1783号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-24 ; 早大学位記番号:新3585doctoral thesi
早稲田大学博士(文学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1864号 ; 学位の種類:博士(文学) ; 授与年月日:2004/2/12 ; 早大学位記番号:新3727doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1708号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3456doctoral thesi