Comparison of the pholuminescence properties of the n and p-type ZnO thin films which are grown by PFCVAD system.

TEZ10295Tez (Doktora) -- Çukurova Üniversitesi, Adana, 2014.Kaynakça (s. 93-97) var.xiii, 99 s. : res. (bzs. rnk.), tablo ; 29 cm.Bu çalışmada atmalı filtreli katodik vakum ark depolama (PFCVAD) sistemi kullanılarak oda sıcaklığında (25°C) cam alt tabanlar üzerine n ve p-tipi çinko oksit (ZnO) ince fimler elde edilmiştir. p-tipi ZnO ince filmler azot (N) katkılama ile O2- N2 karışım atmosferinde cam alt tabanlar üzerine depolanmışlardır. Elde edilen yarıiletken ince filmlerin optiksel, yapısal, elektriksel, yüzey ve fotolüminesans özellikleri belirlenmiş ve tartışılmıştır.In this study, n and p-type ZnO thin films were deposited at room temperature (25°C) on glass substrate susing Pulsed Filtered Cathodic Vacuum Arc Deposition (PFCVAD) system. p-type ZnO films were obtained with N-doping in O2-N2 gas mixture. Finally, optical, structural, electrical, surface images and photoluminescence properties of these thin films were determined and discussed.Bu çalışma Ç.Ü. Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından desteklenmiştir. Proje No: FEF2011D33