Deposition and characterization of cu2o semiconductor thin films by silar method using different copper salt resources.

TEZ10653Tez (Doktora) -- Çukurova Üniversitesi, Adana, 2016.Kaynakça (s. 131-138) var.xix, 139 s. : res. (bzs. rnk.), tablo ; 29 cm.Bu çalışmada, ardışık iyonik tabaka adsorpsiyon ve reaksiyon (SILAR) yöntemi ile dört farklı bakır tuz kaynağı [Cu(CH3COO)2•H2O, CuSO4•5H2O, Cu(NO3)2•3H2O, CuCl2•2H2O] kullanılarak cam alttaban üzerine Cu2O ince filmleri hazırlanmıştır. Cu2O ince filmleri 10, 20, 30 ve 40 daldırma döngüleri ile elde edilmiştir. Filmlerin yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel özellikleri araştırılmıştır. UV/Vis spektrofotometresi ile Cu2O ince filmlerin optik özellikleri olan optik geçirgenlik (%T), optik yansıma (%R), soğurma (A), kırılma indisi (n), soğurma katsayısı (?), sönüm katsayısı (k), enerji bant aralığı (Eg) değerleri bulunmuştur. X-ışını kırınım (XRD) analizlerinden Cu2O ince filmlerin kübik yapıda ve polikristal fazda olduğu ortaya çıkarılmıştır. FE-SEM (Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu) görüntülerinden filmlerin genellikle küresel yığılmalar şeklinde oluştuğu bazı filmlerde ise küresel oluşum içinde kısmen çubuk yapılı taneciklerin olduğu görülmüştür. Hall ölçümlerinden Cu2O ince filmlerin p-tipi iletkenlik sergilemiş olduğu tespit edilmiştir. Elektriksel özdirençleri (?), 1.25x103-6.10x104 ?cm hesaplanmıştır. Filmlerin mobilite (?) değerleri 2.24x101’den 8.74x102 cm2V?1s?1 kadar değişmiştir.In this study, Cu2O thin films were prepared using four different copper salt [copper(II) asetat monohydrate (Cu(CH3COO)2•H2O), copper(II) sulfate pentahydrate (CuSO4•5H2O), copper(II) nitrate trihydrate (Cu(NO3)2•3H2O), copper(II) chloride dihydrate (CuCl2•2H2O)] sources via Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method on a glass substrate. We deposited Cu2O with 10, 20, 30 and 40 immersion cycles. The films are then examined in terms of their structural, optical, morphological and electrical properties. Optical properties such as optical transmittance (T%), refraction coefficient (R%), absorption (A), refraction index (n), absorption coefficient (?), extinction coefficent (k) and energy band gap (Eg) are determined by UV-Vis spectrophotometry. X-Ray Diffraction (XRD) analyses reveal that the material structure is indeed in a cubical form and polycraystal phase. It is deduced from FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope) imaging that the thin film formation usually consists of spherical particles, often with an exception of a combination between spherical and linear particles. From the Hall effect measurement, it was found that Cu2O thin film exhibits p-type conduction. Its electrical resistivity (?) values were calculated in the range 1.25x103-6.10x104 ?cm. The charge mobility (?) values were in the range from 2.24x101 to 8.74x102 cm2V?1s?1.Bu çalışma Ç.Ü. Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından desteklenmiştir. Proje No: FDK-2014-2712