Investigation of structural, optical and morfological properties of CuS semiconductor thin films prepared by chemical bath deposition.

TEZ10826Tez (Doktora) -- Çukurova Üniversitesi, Adana, 2017.Kaynakça (s. 117-121) var.xviii, 123 s. : res. (bzs. rnk.), tablo ; 29 cm.Bu tezde, yarıiletken CuS ince filmler kimyasal depolama yöntemi kullanılarak 27 °C, 50 °C, 70 °C'de cam alttabanlar üzerinde 0.1, 0.3 ve 0.5 M’de ince filmler elde edilmiştir. CuS ince filmlerin yapısal, optik ve morfolojik özellikleri araştırılmıştır. CuS ince filmlerin X-ışını kırınım (XRD) analizlerinden filmlerin amorf ve polikristal yapıda hekzagonal fazda oluştuğu görülmüştür. Yarıiletken CuS ince filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi (190-1100 nm) kullanılmıştır. Elde edilen veriler ile filmlerin temel optik parametreleri olan enerji bant aralığı (Eg), yansıma (R), kırılma indisi (n) değerleri hesaplanmıştır. Alan Emisyonlu-Taramalı Elektron Mikroskobu (FESEM) görüntülerinden filmlerin küresel yapıda homojen dağılım gösterdiği ve sıcaklığının etkisi ile daha sıkı bir yapının oluştuğu görülmüştür.In this thesis, semiconductor CuS thin films were deposited by chemical bath deposition method at 27 °C, 50 °C, 70 °C on glass substrate through 0.1 M, 0.3 M and 0.5 M were obtained thin films. Investigation of the structural, optical and morpholgical properties of the CuS thin films. The XRD analyses indicate that CuS thin films exhibit amorphous and polycrystal structure and hexagonal phase. In order to determine the optical properties of the semiconductor CuS thin films UV/vis spectrophotometer (190-1100 nm) was used. Optical parameters such as energy bant gap (Eg), reflection (R) and refractive index (n) values are acquired using aforementioned basic parameters. Field Emission-Scanning Electron Microscope (FE-SEM) images show that the films have a homogeneous distribution in the spherical structure, and the effect of temperature is seen to be more strict.Bu çalışma Ç.Ü. Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından desteklenmiştir. Proje No: FEF2012D10