Electrochemically growth of ZnO thin film and characterization.

TEZ10856Tez (Yüksek Lisans) -- Çukurova Üniversitesi, Adana, 2016.Kaynakça (s. 51-61) var.x, 63 s. : res. (bzs. rnk.), tablo ; 29 cm.Oldukça ekonomik elektrokaplama yöntemi geliştirilerek ZnO nanorod yapılar üretilmiştir. Büyütme işlemi standart DC güç kaynağı, mili ampermetre ve iki elektrotlu elektrokimyasal hücre ile gerçekleştirilmiştir. Kaplama işlemi, katodik kaplama akımı, süre, çözelti molaritesi ve sıcaklık gibi parametreler değiştirilerek ITO kaplı cam alttaban üzerine gerçekleştirilmiştir. Parametreler değiştirilerek optoelektonik uygulamalar için optimum saydam yarıiletken materyal üretilmeye çalışılmıştır. XRD yapısal karakterizasyon sonuçları, kaplama sıcaklığına ve molaritesine duyarlı polikristal ZnO nanorod yapıların c-ekseni boyunca büyüdüğünü göstermiştir. En iyi iki ZnO nanorod serisinin ortalama optik geçirgenliği sırasıyla %60 ve %42'dir. Kaplama zamanı arttıkça ZnO nanorodların optik enerji band aralık değerleri 3.24 eV değerinden 3.21 eV değerine doğru azalmıştır. Üretilen bütün nanorod yapılar 1 x 1020 cm-3 seviyesinde yüksek taşıyıcı konsantrasyonlu, 1-2x10-3 cm değerinde düşük dirençli ve n-tipi yarıiletkendir.Extremely low-cost electrodeposition technique was developed to deposit ZnO nanorods. The growth process was performed using standard DC power supply, milliammeter and two-electrode electrochemical cell. The deposition was carried out on ITO coated glass substrates by changing deposition parameters such as cathodic deposition current and time, solution molarity and temperature. The parameters varied to obtain optimum transparent semiconductor material for optoelectronic applications. Structural characterizations by XRD indicate the formation of polycrystalline phase ZnO with strong c-axis orientation and were sensitive to deposition temperatures and molarity as well. Average optical transmittance for the best two ZnO nanorods series was around 60% and 42%, respectively. The optical energy band gap of the ZnO nanorods decreased from 3.24 eV to 3.21 eV as the deposition time increased. All the growth nanorods were n-type with high carrier concentration 1 x 1020 cm-3 and low 1-2 x 10-3 ?cm resistivity