Расчет диффузии примесей в кремнии

The paper contains information about analytical solutions of diffusion equation which have been obtained for the first time. An example of calculation of diffusion processes in silicon during manufacturing of semiconductor devices is considered in the paper. Mathematical functions suitable for obtaining analytical formulae are determined with the help of a detailed analysis of physical model. Such functions make it possible to find approximations from below and above to the solution of the given problem that greatly reduces the calculation time if computer programs for three-dimensionalСодержит информацию об аналитических решениях уравнения диффузии, полученных впервые. Рассматривается пример расчета диффузионных процессов в кремнии при производстве полупроводниковых приборов. Математические функции, пригодные для получения аналитических формул, определены с помощью детального анализа физической модели. Такие функции позволяют найти приближения снизу и сверху к решению данной задачи, что значительно сокращает время расчета при использовании компьютерных программ для трехмерных процессов