Efecto de la Temperatura de Deposición en los Parámetros Estructurales y de Transición Metal-Aislante, de Películas Delgadas de Dióxido de Vanadio (VO2)

Se investigó el efecto de la temperatura de deposición en los parámetros estructurales y de transición de la fase metal–aislante en películas delgadas de VO2, producidas mediante la técnica de Erosión Iónica en atmósfera reactiva. Las muestras fueron producidas como monocapas y depositadas a distintas temperaturas sobre substratos de SiO2/Si (100). La caracterización estructural por difracción de rayos X (XRD) mostró la presencia de la fase M1 del VO2. Los parámetros de red y el volumen de la celda unitaria cambian levemente con el aumento de la temperatura de deposición. La caracterización eléctrica de la resistencia como función de la temperatura, por el método de cuatro puntas, muestra transición de fase reversible, con histéresis térmica en todas las muestras. Conforme aumenta la temperatura de deposición, se observó un incremento en la temperatura de transición (TMIT), entre 67 °C y 73 °C, para el ciclo de calentamiento, manifestándose además, una disminución en la variación de la resistencia eléctrica durante la transición, afectando la forma y tamaño del lazo de histéresis. Los resultados experimentales demuestran que las películas delgadas de VO2 son policristalinas y que la temperatura de deposición afecta los parámetros estructurales y de transición metal–aislante, explicando la aparición de estrés en el material depositado.Se investigó el efecto de la temperatura de deposición en los parámetros estructurales y de transición de la fase metal–aislante en películas delgadas de VO2, producidas mediante la técnica de Erosión Iónica en atmósfera reactiva. Las muestras fueron producidas como monocapas y depositadas a distintas temperaturas sobre substratos de SiO2/Si (100). La caracterización estructural por difracción de rayos X (XRD) mostró la presencia de la fase M1 del VO2. Los parámetros de red y el volumen de la celda unitaria cambian levemente con el aumento de la temperatura de deposición. La caracterización eléctrica de la resistencia como función de la temperatura, por el método de cuatro puntas, muestra transición de fase reversible, con histéresis térmica en todas las muestras. Conforme aumenta la temperatura de deposición, se observó un incremento en la temperatura de transición (TMIT), entre 67 °C y 73 °C, para el ciclo de calentamiento, manifestándose además, una disminución en la variación de la resistencia eléctrica durante la transición, afectando la forma y tamaño del lazo de histéresis. Los resultados experimentales demuestran que las películas delgadas de VO2 son policristalinas y que la temperatura de deposición afecta los parámetros estructurales y de transición metal–aislante, explicando la aparición de estrés en el material depositado