Modélisation non linéaire en bruit phase de transistors TBH SiGe

National audienceCe papier présente une modélisation non linéaire en bruit d'un transistor bipolaire SiGe. L'implémentation de sources de bruit non linéaires dans le modèle du transistor est décrite. Ce modèle s'appuie sur l'observation d'un comportement non linéaire de la source de bruit en tension extrinsèque en parallèle à la jonction base émetteur. La validation de ce modèle est effectuée grâce à la mesure du bruit de phase du transistor étudié dans différentes configurations de polarisation et de puissance. Ce modèle a permis la conception d'un amplificateur à faible bruit de phase pour la réalisation d'un oscillateur à très haute pureté spectrale fonctionnant à 10 GHz. Cet amplificateur à deux étages a été conçu en s'appuyant sur le modèle précédent. Les performances obtenues sont d'un très bon niveau, en effet le gain est égal à 8.2 dB et le bruit de phase à 100 kHz de la porteuse de -165dBrad2.Hz-1