Add to ORKGNational audienceDans ce papier, une étude est proposée afin de trouver une alternative à la technologie IGBT 1200 Volts avec une technologie MOS innovante. Quatre technologies sont présentées et comparée : L'UMOSFET, l'OBUMOSFET, le SJVDMOSFET et le DTMOSFET. Une étude comparative, à l'aide de simulations 2D, des structures de même tenue en tension nous a permis d'écarter certaines technologies, incapable de concurrencer les performances statiques d'un IGBT 1200Volt
National audienceDans cet article, nous présentons l'étude paramétrique des performances statiques d...
Résumé: Dans ce papier, un transistor FLYMOS ™ 65V est caractérisé en commutation pour la première f...
Le développement des convertisseurs haute tension pour les applications de traction ou de distributi...
National audienceDans ce papier, une étude est proposée afin de trouver une alternative à la technol...
MOS innovante. Quatre technologies sont présentées et comparée: L’UMOSFET, l’OBUMOSFET, le SJVDMOSFE...
International audienceDans le cadre de ces travaux, nous avons étudié différents principes pour conc...
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IGBTs are currently used in rail train 1200 Volts power converter. These are disabled by important s...
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National audienceDans ce papier, un transistor FLYMOS™ 65V est caractérisé en commutation pour la pr...
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International audienceDeux types de transistors à effet de champ seront présentés, permettant d'expl...
National audienceDans cet article, nous présentons l'étude paramétrique des performances statiques d...
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