Simulation of X-Ray and Gamma Irradiation Impact on Working Characteristics of p-MOS Transistors / V.N. Yuvchenko, A.F. Komarov, G.M. Zayats, S.A. Miskiewicz

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in SolidsПроведено численное моделирование радиационно-индуцированного изменения порогового напряжения p-МОП-транзисторов с различной толщиной подзатворного диэлектрика c использованием модели пространственно-временной эволюции заряда, возникающего в подзатворном оксиде МОП-транзистора при воздействии рентгеновского и гамма-излучения. Представлены результаты моделирования сток-затворных и выходных ВАХ p-МОП-транзисторов с толщиной подзатворного диэлектрика 7 нм, облучаемых различными дозами гамма-квантов с энергией 1,2 МэВ.The model of space-time evolution of the charge appearing in the gate dielectric of the MOS transistor under X-ray and gamma irradiation is used to simulate transistor threshold voltage change under irradiation. The model incudes two types of carrier traps – “deep” and “shallow”. Threshold voltage shifts for p-MOS transistors irradiated with 20 keV X-ray irradiation have been calculated. Transfer and output I-V characteristics of p-MOS transistors irradiated with 1.2 MeV gamma radiation were simulated for transistors with gate dielectric thickness of 7 nm. Main parameters of I-V characteristics and their changes under gamma irradiation with doses up to 6x10 6 rad have been calculated