Структурные и электрофизические свойства тонких Si(1-x)Ge(x) пленок после имплантации В+ и последующего отжига

В настоящее время структурные и электрофизические свойства тонких поликри­сталлических Si(1-x)Ge(x) пленок мало исследованы по отношению к таким базовым тех­нологическим процессам, как химическое осаждение из газовой фазы (CVD), ионная имплантация, постимплантационная равновесная термообработка, быстрый термиче­ский отжиг. Перспективность внедрения SiGe сплавов в технологию микроэлектро­ники вызывает огромный интерес исследователей к структурам со слоями Si(1-x)Ge(x), различного стехиометрического состава. Особый интерес представляет поведение атомов бора в поликристаллических слоях SiGе-сплавов. В настоящей работе приво­дятся результаты исследования структурно-фазового состава легированных бором слоев Si(1-x)Ge(x), осажденных на термически выращенный оксид кремния, в процессе их равновесного термического отжига. Изучены зависимости слоевого сопротивления от температуры отжига и степени легирования бором