Studies of changes in thermal resistance of high-power MOSFETS during thermal tests / Yu. A. Bumai, O. S. Vaskov, V. S. Niss, A. F. Kerentsev, A. N. Petlitskii, Ya. A. Solov'ev

Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основеМетодом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии исследованы структура теплового сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных МОП транзисторов (аналогов транзисторов КП7209, КП7128 производства ОАО Интеграл), в различных корпусах (ТО–220, ТО-252) с различными размерами кристалла. Для испытания надежности транзисторы были подвергнуты сериям по 100 термоударов в интервале температур от –196 до +200°С. Обнаружено, что основные изменения теплового сопротивления происходят в области посадки кристаллов транзисторов. Наименьшую надежность проявили транзисторы в корпусе для поверхностного монтажа ТО–252.Thermal resistance differential spectrometry was used to study the structure of thermal resistance, as well as heat flow spreading profiles of powerful imported MOS transistors (analogues of KP7209 and KP7128 transistors manufactured by Integral), in various packages (TO-220, TO-252) with different crystal sizes. To test the reliability of the transistors were subjected to a series of 100 thermal shocks in the temperature range from -196 to +200 ° C. It is found that the main changes in thermal resistance occur in the region of mounting transistor crystals. The lowest reliability was shown by the transistors in the case for surface mounting of TO-252