Reflectance spectra transformation of diazoquinone-novolac photoresist at antimony ions implantation / A. A. Kharchenko, D. I. Brinkevich, S. A. Vabischevich, V. S. Prosolovich, V. B. Odzaev, Yu. N. Yankovski

Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводникахМетодом измерения спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением молекулярной рефракции и плотности фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки имеет место рост коэффициента отражения при увеличении дозы имплантации.FP9120 positive photoresist 1,8μm films, deposited on silicon wafers surface by centrifugation method and later implanted by antimony ions were studied by the measuring of reflectance spectra. It was shown that, implantation leads to the decrease of photoresist refractive index caused by the radiation linkage of novolac resin, as well as the decrease of molecular refraction and photoresist density. In the opacity area of photoresist film reflectance coefficient growth was observed at the increase of implantation dose