Gettering of incontroled impurities in high-ohm silicon plates / A. M. Lemeshevskaia, V. B. Odzaev, A. N. Petlitskii, M. I. Tarasik, V. S. Tsimbal, A. R. Chelyadinskii, D. V. Shestovskii

Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводникахИсследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей переходных металлов (Сu, Fe, Ni и др) на электрофизические параметры кремния. Установлено, что создание геттерного слоя путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок существенно повышает время жизни и диффузионную длину неравновесных носителей заряда в пластинах кремния, используемых для создания фотодиодов.Influence of transition-metal impurities (Cu, Fe, Ni et. al) gettering on silicon electrical parameters was investigated. It was established that gettering layers, created with Sb+ ion implantation and anneal increase life-time and diffusion length of in equilibrium charge carriers