Peculiarities of the formation modes of platinum silicide during the rapid thermal treatment / V. A. Solodukha, V. A. Pilipenko, V. A. Gorushko

Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основеОбоснованы режимы формирования силицида платины с использованием быстрой термической обработки. Показано, что проведение твердофазного синтеза вплоть до 810 °С не вызывает в пластинах возникновения термических напряжений, превышающих предел текучести кремния, а для исключения влияния на данный процесс кислорода его необходимо проводить в среде азота.There were substantiated the formation modes of platinum silicide with application of the rapid thermal treatment. It was shown, that performance of the solid phase synthesis close to 810º C does not result in the emergence in the wafers of the thermal stresses exceeding the silicon yield point, and in order to preclude influence of the given process of oxygen it is necessary to perform it in the nitrogen medium