Epitaxial growth of silicon layers using trichlorosilane / O. Y. Nalivaiko, A. S. Turtsevich, K. V. Rudnitsky, A. V. Shamplet, I. A. Nagaev

Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основеОпределены режимы эпитаксиального наращивания кремния с использованием трихлорсилана, обеспечивающие формирование эпитаксиальных пленок кремния со скоростью роста от 0,2 до 1,5 мкм/мин. Показана возможность выбора условий роста, обеспечивающих получение требуемой величины смещения топологического рисунка (от 100–120% при температуре осаждения 1200 °С до 45–60 % при температуре осаждения 1200 °С и 1120 °С). Это позволило использовать имеющиеся комплекты фотошаблонов при производстве широкой номенклатуры ИС.It was defined the conditions of epitaxial silicon growth using trichlorosilane, which provide the formation of epitaxial silicon layers with deposition rate from 0,2 to 1,5 micron/min. It was shown the possibility of selection of silicon growth conditions, which provide the required value of pattern shift (from 100-120% at 1200 °C to 45-60% at 1200 and 1120 °C). It make it possible to use the existing sets of photomask for wide IC range