Electron mobility versus temperature on the monocrystall semiconductor barium disilicide / D. A. Shohonov, I. S. Samusevich, A. B. Filonov, D. B. Migas

Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основеПроведено моделирование температурной зависимости подвижности электронов в монокристалле полупроводникового дисилицида бария (BaSi2). Моделирование проводилось на основе экспериментальных данных подвижности электронов в поликристаллическом BaSi2. Установлено, что для монокристаллического BaSi2 можно ожидать увеличения значения подвижности электронов при комнатной температуре в сравнении с поликристаллическим BaSi2 из-за отсутствия рассеяния на межзеренных границах и уменьшения электрон-фононного рассеяния в приближении потенциала деформации.The dependence of the electron mobility versus temperature in monocrystalline semiconducting barium disilicide (BaSi2) has been simulated. The simulation was carried out on the basis of experimental data on electron mobility in polycrystalline BaSi2. We demonstrate that for the monocrystalline BaSi2 one can expect an increase in the electron mobility value at the room temperature in comparison with polycrystalline BaSi2 due to the absence of grain boundaries scattering and decreasing electron-phonon scattering within the deformation potential approximatio