Reconstruction of the surface of silicon during cleaning and its effect on contact resistance value of Mo-silicon contacts, and the parameters of microwave bipolar transistors / Yu.P.Snitovsky

Представлены результаты экспериментального изучения влияния очистки кремния в контактных «окнах» к базе и эмиттеру эпитаксиально-планарного n-p-n СВЧ транзистора на величину переходного сопротивления Mo/Si контактов и параметры транзистора при воздействии импульсного фотонного отжига с последующей обработкой в 1%-ом растворе HF в сравнении со стационарным отжигом в вакууме и комбинированной мокрой очисткой. Обсуждается механизм, позволяющий объяснить полученные результат