Improvement of structural perfectness of epitaxial n-GaP films due to y-irradiation / Petro Gentsar, Lyudmila Matveeva, Evgen Venger

Методом электроотражения (ЭО) исследованы гомоэпитаксиальные пленки n-GaP (III) с концентрацией электронов 1016 - 1018 см’3 до и после облучения у квантами 60Co в интервале доз 105-106 P при температуре 300К с использованием электролитической методики. Экспериментальные сильнополевые спектры ЭО хорошо описываются теорией с использованием уширенных функций Эйри. Определены электрооптическая энергия h0 , поверхностное электрическое поле Fs и столкновительный параметр уширения Г. Влияние у-облучения на спектры ЭО оценено по изменению Г и внутренних механических напряжений. Наблюдается расщепление экстремума после облучения. Оценено увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения образцов