Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov

Determsnation of the parameters of annealing of radiation defects in single crystals n-Ge, irradiated by the fast electrons / Sergiy Luniov, Andriy Zimych, Mykola Khvyschun, Volodymyr Masliuk, Ivan Megela

Лунев, С. В.
Зимич, А. И.
Хвыщун, Н. В.
Маслюк, В. Т.
Мегела, И. Г.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследован изотермический отжиг монокристаллов n-Ge, об...

Influence of impurity distribution character on activation energy of hopping conductivity in neutron-doped germanium / T.Y. Mikulchyk

Микульчик, Т. Ю.

January 2003

Сравнивались экспериментальные данные энергии активации е3 для нейтронно-легированного германия с те...

Effect of Charged Clusters on the Diffusion of Impurity Atoms in Silicon Crystals

Величко, О. И.
Velichko, O. I.

January 2017

Получено уравнение диффузии примесных атомов в кристаллах кремния, на основе которого может быть опр...

Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov

Киселев, В. К.
Оболенский, С. В.
Скупов, В. Д.

January 1999

Приводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур,...

Radiation-induced getteringin silicon p-n junctions / M.B.Tagaev

Тагаев, М. Б.

January 1999

Исследовано влияние у-радиации 60Co в диапазоне доз 103 - 5 105 Гр на вольтамперные характеристики (...

Electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated by xenon ions with energy 166 MeV / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, N.S. Kirilkin, M.K. Kirikovich, A. Wieck

Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Кирилкин, Н. С.
Кирикович, М. К.
Wieck, A.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные ионами...

Формирование водородо-индуцированиых дефектов и их применение в технологиях микро- и оптоэлектроники

Комаров, Ф. Ф.
Мильчанин, О. В.
Миронов, А. М.

September 2006

A few important implementations of proton beam induced damage in crystals to produce unique structur...

Formation of hexagonal phase of silicon at ion irradiation / Dmitry Korolev, Alena Nikolskaya, Alexey Mikhaylov, Alexey Belov, Nikolay Krivulin, Dmitry Pavlov, David Tetelbaum

Королев, Д. С.
Никольская, А. А.
Михайлов, А. Н.
Белов, А. И.
Кривулин, Н. О.
Павлов, Д. А.
Тетельбаум, Д. И.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеМетодом просвечивающей электронной микроскопии обнаруже...

Interaction of radiation witli solids

January 2007

В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...

Electron irradiation influence on conductance and capacity of silicon diffused p-n-junctions at 4,2-80 K / S. B. Lastovski, V. A. Gurinovitch, N. E. Zdanovitch, N. A. Poklonski, V. T. Troschinski

Ластовский, С. Б.
Гуринович, В. А.
Жданович, Н. Е.
Поклонский, Н. А.
Трощинский, В. Т.

January 1999

Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...

Studying structural features of semiconductor crystals after y-radiation action / V.A.Liopo, A.V.Sabutz, N.A.Semikolenova, A.U.Sheleg

Лиопо, В. А.
Сабуть, А. В.
Семиколенова, Н. А.
Шелег, А. У.

January 2001

Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...

Switching conductivity type effect under charged particle irradiation in diamond / D.V.Sharshunov

Шаршунов, Д. В.

January 2001

Эффект переключения типа проводимости в алмазе при возбуждении заряженными частицами при длитель...

Modification of silicon P-N-structures noise characteristics during the radiation defects annealing / A.K.Baranouski, P.V.Kuchinski , A.P.Petrunin, E.D.Savenok

Барановский, О. К.
Петрунин, А. П.
Савенок, Е. Д.

January 2001

Исследовано изменение спектральной плотности шума кремниевых р-п-структур при изохронном отжиге дефе...

Degradation of transport critical current of Y123 and Bi(Pb)2223 HTSC ceramics under gamma-ray irradiation / F. P. Korshunov, V. K.Shesholko, V. A. Gurinovich

Коршунов, Ф. П.
Шешолко, В. К.
Гуринович, В. А.

January 1999

Проведено сравнение деградации транспортного критического тока высокотемпературных сверхпроводников ...

DLTS spectroscopy of the complexes radiation defect-residual impurity in silicon / B.A.Komarov, I.F.Medvedeva, LI.Murin, V.E.Gusakov, P.V.Kuchinski, J.L.Lindstrom

Комаров, Б. А.
Медведева, И. Ф.
Мурин, Л. И.
Гусаков, В. Е.
Кучинский, П. В.
Lindstrom, J. L.

January 2001

Методом DLTS исследовано образование комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии. ...

Determsnation of the parameters of annealing of radiation defects in single crystals n-Ge, irradiated by the fast electrons / Sergiy Luniov, Andriy Zimych, Mykola Khvyschun, Volodymyr Masliuk, Ivan Megela

Лунев, С. В.
Зимич, А. И.
Хвыщун, Н. В.
Маслюк, В. Т.
Мегела, И. Г.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследован изотермический отжиг монокристаллов n-Ge, об...

Influence of impurity distribution character on activation energy of hopping conductivity in neutron-doped germanium / T.Y. Mikulchyk

Микульчик, Т. Ю.

January 2003

Сравнивались экспериментальные данные энергии активации е3 для нейтронно-легированного германия с те...

Effect of Charged Clusters on the Diffusion of Impurity Atoms in Silicon Crystals

Величко, О. И.
Velichko, O. I.

January 2017

Получено уравнение диффузии примесных атомов в кристаллах кремния, на основе которого может быть опр...

Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov

Киселев, В. К.
Оболенский, С. В.
Скупов, В. Д.

January 1999

Приводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур,...

Radiation-induced getteringin silicon p-n junctions / M.B.Tagaev

Тагаев, М. Б.

January 1999

Исследовано влияние у-радиации 60Co в диапазоне доз 103 - 5 105 Гр на вольтамперные характеристики (...

Electrical capacitance of Al/SiO2/n-Si structures irradiated by xenon ions with energy 166 MeV / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, N.S. Kirilkin, M.K. Kirikovich, A. Wieck

Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Кирилкин, Н. С.
Кирикович, М. К.
Wieck, A.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные ионами...

Формирование водородо-индуцированиых дефектов и их применение в технологиях микро- и оптоэлектроники

Комаров, Ф. Ф.
Мильчанин, О. В.
Миронов, А. М.

September 2006

A few important implementations of proton beam induced damage in crystals to produce unique structur...

Formation of hexagonal phase of silicon at ion irradiation / Dmitry Korolev, Alena Nikolskaya, Alexey Mikhaylov, Alexey Belov, Nikolay Krivulin, Dmitry Pavlov, David Tetelbaum

Королев, Д. С.
Никольская, А. А.
Михайлов, А. Н.
Белов, А. И.
Кривулин, Н. О.
Павлов, Д. А.
Тетельбаум, Д. И.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеМетодом просвечивающей электронной микроскопии обнаруже...

Interaction of radiation witli solids

January 2007

В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...

Electron irradiation influence on conductance and capacity of silicon diffused p-n-junctions at 4,2-80 K / S. B. Lastovski, V. A. Gurinovitch, N. E. Zdanovitch, N. A. Poklonski, V. T. Troschinski

Ластовский, С. Б.
Гуринович, В. А.
Жданович, Н. Е.
Поклонский, Н. А.
Трощинский, В. Т.

January 1999

Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...

Studying structural features of semiconductor crystals after y-radiation action / V.A.Liopo, A.V.Sabutz, N.A.Semikolenova, A.U.Sheleg

Лиопо, В. А.
Сабуть, А. В.
Семиколенова, Н. А.
Шелег, А. У.

January 2001

Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...

Switching conductivity type effect under charged particle irradiation in diamond / D.V.Sharshunov

Шаршунов, Д. В.

January 2001

Эффект переключения типа проводимости в алмазе при возбуждении заряженными частицами при длитель...

Modification of silicon P-N-structures noise characteristics during the radiation defects annealing / A.K.Baranouski, P.V.Kuchinski , A.P.Petrunin, E.D.Savenok

Барановский, О. К.
Петрунин, А. П.
Савенок, Е. Д.

January 2001

Исследовано изменение спектральной плотности шума кремниевых р-п-структур при изохронном отжиге дефе...

Degradation of transport critical current of Y123 and Bi(Pb)2223 HTSC ceramics under gamma-ray irradiation / F. P. Korshunov, V. K.Shesholko, V. A. Gurinovich

Коршунов, Ф. П.
Шешолко, В. К.
Гуринович, В. А.

January 1999

Проведено сравнение деградации транспортного критического тока высокотемпературных сверхпроводников ...

DLTS spectroscopy of the complexes radiation defect-residual impurity in silicon / B.A.Komarov, I.F.Medvedeva, LI.Murin, V.E.Gusakov, P.V.Kuchinski, J.L.Lindstrom

Комаров, Б. А.
Медведева, И. Ф.
Мурин, Л. И.
Гусаков, В. Е.
Кучинский, П. В.
Lindstrom, J. L.

January 2001

Методом DLTS исследовано образование комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнии. ...

Determsnation of the parameters of annealing of radiation defects in single crystals n-Ge, irradiated by the fast electrons / Sergiy Luniov, Andriy Zimych, Mykola Khvyschun, Volodymyr Masliuk, Ivan Megela

Лунев, С. В.
Зимич, А. И.
Хвыщун, Н. В.
Маслюк, В. Т.
Мегела, И. Г.

January 2017

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследован изотермический отжиг монокристаллов n-Ge, об...

Influence of impurity distribution character on activation energy of hopping conductivity in neutron-doped germanium / T.Y. Mikulchyk

Микульчик, Т. Ю.

January 2003

Сравнивались экспериментальные данные энергии активации е3 для нейтронно-легированного германия с те...

Effect of Charged Clusters on the Diffusion of Impurity Atoms in Silicon Crystals

Величко, О. И.
Velichko, O. I.

January 2017

Получено уравнение диффузии примесных атомов в кристаллах кремния, на основе которого может быть опр...

Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov

Abstract

Extracted data

Influence of proton radiation on characteristics of silicon on sapphire structure / V.K.Kiselev, S.V.Obolensky, V.D.Skupov

Abstract

Extracted data

Related items

Related items