Исследовалось радиационное повреждение группы металлов Al, Zr, Cu, Ni, Fe после их облучения тяжелыми ионами Ne22, Аг40, Кг84 и Хе129 с энергиями более 1 МэВ/а.е.м. Расчет характеристик облучения-сечения образования дефектов по глубине, их концентрация, длины проективных пробегов велся с использованием ЭВМ Изучено радиационное упрочнение, зависящее от флюенса облучения и стремящееся к насыщению. Уровень насыщения эффектов связан с массой ионов.The radiating damage of group of metals Al, Zr, u, Ni and Fe, after their irradiation by heavy ions Ne22, Ar40, Kr84 and Xe129 with energy more than 1 MeV/a.e.m. was investigated. Account of the characteristics of an irradiation sections of formation (training) of defects on depth, their concentration...
Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на...
Исследованы микротвердость и тонкая структура сплавов алюминия Д16 и АМц, имплантированных ионами кр...
Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травлени...
Исследовано влияние воздействия мощных ионных пучков и последующего термического отжига на триботехн...
Исследовано влияние воздействия мощных ионных пучков и последующего термического отжига на триботехн...
С помощью просвечивающей электронной-микроскопии исследована структура сплава Д16, имплантированного...
С помощью просвечивающей электронной-микроскопии исследована структура сплава Д16, имплантированного...
Исследовано изменение микротвердости в имплантированных ионами ксенона с энергией 124 МэВ флюенсом 1...
Проведено сравнение деградации транспортного критического тока высокотемпературных сверхпроводников ...
Секция 3. Модификация свойств материаловВ настоящей работе методом растровой электронной микроскопии...
Секция 3. Модификация свойств материаловВ настоящей работе методом растровой электронной микроскопии...
Изучено влияние воздействия импульсного пучка релятивистских электронов на мезоскопические структурн...
透明酸化物絶縁体のスピントロニクス素子などの機能性材料への応用を目指して、SiO2及びAl2O3へのイオン注入による磁性、光吸収特性の変化を調べた。 その結果、Feイオン注入により、SiO2とAl2...
Исследованы микротвердость и тонкая структура сплавов алюминия Д16 и АМц, имплантированных ионами кр...
Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на...
Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на...
Исследованы микротвердость и тонкая структура сплавов алюминия Д16 и АМц, имплантированных ионами кр...
Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травлени...
Исследовано влияние воздействия мощных ионных пучков и последующего термического отжига на триботехн...
Исследовано влияние воздействия мощных ионных пучков и последующего термического отжига на триботехн...
С помощью просвечивающей электронной-микроскопии исследована структура сплава Д16, имплантированного...
С помощью просвечивающей электронной-микроскопии исследована структура сплава Д16, имплантированного...
Исследовано изменение микротвердости в имплантированных ионами ксенона с энергией 124 МэВ флюенсом 1...
Проведено сравнение деградации транспортного критического тока высокотемпературных сверхпроводников ...
Секция 3. Модификация свойств материаловВ настоящей работе методом растровой электронной микроскопии...
Секция 3. Модификация свойств материаловВ настоящей работе методом растровой электронной микроскопии...
Изучено влияние воздействия импульсного пучка релятивистских электронов на мезоскопические структурн...
透明酸化物絶縁体のスピントロニクス素子などの機能性材料への応用を目指して、SiO2及びAl2O3へのイオン注入による磁性、光吸収特性の変化を調べた。 その結果、Feイオン注入により、SiO2とAl2...
Исследованы микротвердость и тонкая структура сплавов алюминия Д16 и АМц, имплантированных ионами кр...
Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на...
Рассмотрено влияние электромагнитного излучения частотой f=2,45 ГГц удельной мощностью 1,5Вт/см^2 на...
Исследованы микротвердость и тонкая структура сплавов алюминия Д16 и АМц, имплантированных ионами кр...
Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травлени...