Donor form in germanium irradiated by hydrogenions / J.M.Pokotilo, V.V.Litvinov, A.N.Petuch, A.S.Kamyshan

Приводятся результаты исследования р*-п структур, изготовленных на основе n-Ge. Установлено, что облучение базы ионами водорода с последующей термообработкой при 250 °С приводит к формированию в области р*-п-перехода мелких доноров. Обнаруженные доноры обуславливают в приграничной к р^-п-переходу области эффект «замороженной» фотопроводимости