Эффект переключения типа проводимости в алмазе при возбуждении заряженными частицами при длительности импульса меньше, чем среднее время жизни носителей, наблюдался в результате моделирования эволюции концентрации носителей. Это явление существует при концнетрации примеси более чем 1012см3 и только для центров с различными по величине сечениями захвата носителей
В работе рассматриваются вопросы движения частиц, описано распределение неоднородного осесимметрично...
Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...
Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...
Эффект переключения типа проводимости в алмазе при возбуждении заряженными частицами при длитель...
Зависимости формы и амплитуды импульса проводимости от концентрации примеси в алмазе были исследован...
Зависимости формы и амплитуды импульса проводимости от концентрации примеси в алмазе были исследован...
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возника...
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возника...
Определена энергия излучения электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма – поток з...
Определена энергия излучения электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма – поток з...
В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...
В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...
Описана высокочастотная вакуумно-плазменная установка и технология выращивания тонких алмазных полик...
Описана высокочастотная вакуумно-плазменная установка и технология выращивания тонких алмазных полик...
В работе рассматриваются вопросы движения частиц, описано распределение неоднородного осесимметрично...
В работе рассматриваются вопросы движения частиц, описано распределение неоднородного осесимметрично...
Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...
Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...
Эффект переключения типа проводимости в алмазе при возбуждении заряженными частицами при длитель...
Зависимости формы и амплитуды импульса проводимости от концентрации примеси в алмазе были исследован...
Зависимости формы и амплитуды импульса проводимости от концентрации примеси в алмазе были исследован...
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возника...
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возника...
Определена энергия излучения электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма – поток з...
Определена энергия излучения электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма – поток з...
В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...
В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...
Описана высокочастотная вакуумно-плазменная установка и технология выращивания тонких алмазных полик...
Описана высокочастотная вакуумно-плазменная установка и технология выращивания тонких алмазных полик...
В работе рассматриваются вопросы движения частиц, описано распределение неоднородного осесимметрично...
В работе рассматриваются вопросы движения частиц, описано распределение неоднородного осесимметрично...
Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...
Установлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов веде...