Influence of processing by ions of an argon of low energies on optical properties of the back party monocrystalline GaAs / A.S.AIalykin, P.N.Krylov

Бесконтактными методами исследовались оптические, фотоэлектрические и эллипсометрические характеристики тыльной стороны подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке ионами аргона низких энергий. Обнаружено уменьшение коэффициента отражения R в ближней ИК-области и увеличение R в видимой области спектра. Метод эллипсометрии показал увеличение минимального значения ч/^т и разности параллельной и перпендикулярной составляющими ц/ (Ар - As). Фотопроводимость уменьшается во всем спектральном диапазоне, наиболее сильные изменения происходят в области максимума кривой при длине волны λ=695 нм