Electron spin resonance of dislocations in silicon irradiated with high energy ions / V. S. Varichenko, N. A. Drozdov, N. M. Lapchuk, E. N. Shumskaya

Исследовался электронный парамагнитный резонанс кремния, облученного высокознергетичными ионами Kr и Xe. Обнаружено магнитное упорядочение парамагнитных центров, дающих линию ЭПР с дк2,3. Изучена угловая магнитного поля насыщения для трех ориентаций вектора магнитного поля относительно кристаллических частей образца. Проведено исследование профиля распределения парамагнитных центров по глубине нарушенной области. Проанализированы результаты изохронного отжига кремния, облученного ионами Kr , в •ггераале температур Ю0...1000°С. Сделан вывод о присутствии дислокационных образований нового типа, возникших после облучения кремния высокознергетичными ионами инертных газов.P-Iype (111) oriented silicon samples,of 10 Ohrrixcm irradiated with krypton ions (E=210 MeV, D=1x1012...3x1014 cm'2) and xenon ions (E=5,68 GeV, D=5x1011...Sxi ot3 cm'2) have been investigated by ESR. Both irradiations have caused intensive anisotropic lines with the g«2,3 and the widths ДН of 300 G and 200 G for Kr* and Xe' ions respectively., It was proved the magnetic ordering of paramagnetic centers giving the line with the g=2,3 exists. The investigation of the angular dependencies of the saturation magnetic field was carried out. The paramagnetic center distribution along the disturbed region was studied- . Ttie layer removal of silicon irradiated with Xe* ions showed the anomalous behavior of the standard signal amplitude. This can be explained by the presence of SHF conductive defect structures. It is concluded that the high energy implantation with heavy ions stimulates a new kind of dislocations