Doping of germanium by donors due to low-temperature hydrogen plasma treatment / N.M.Kazuchits, V.V.Litvinov

Методом сопротивления растеканию были исследованы гидрогенизированные кристаллы германия р- и п-типа проводимости с различным содержанием кислорода и легирующей примеси. Гидрогенизация осуществлялась путем обработки образцов в водородной плазме при постоянном токе разряда в диапазоне температур 200 - 350 °С. В приповерхностном слое обработанных в плазме кристаллов обнаружено ускоренное образование двух типов донорных центров. Предполагается, что, по крайней мере, один тип донорных центров - это кислородные термодоноры, которые образуются в обогащенных кислородом образцах по механизму радиационного ускорения.A spreading resistance probe analysis of hydrogen-plasma-treated crystals of germanium with different concentration of shallow dopants and oxygen has been presented. The samples were exposed to hydrogen plasma at the direct current within the temperature range of 200-350 °C. The hydrogen plasma exposure of germanium results in two types of donor centers into the surface crystal region with the thermal stability up to 450-500 °C. The appearance of p-n junctions was revealed in p-type germanium. The formation oxygen-related thermal donors is suggested to occur in dopant oxygen germanium under hydrogen plasma treatment