Anisotropic Etching of Single-Crystalline Silicon Near by the Chemical Mask Edge on (001) Surface / A. E. Usenko, A. V. Yukhnevich

Изучены особенности микро- и нанорельефа поверхности (001) монокристаллов кремния, формирующегося вблизи вершины прямого выпуклого угла химической маски с направлением сторон вдоль (110) и (100) при травлении водными растворами KOH (8-16 моль/л) в диапазоне температур 60-80°C. Исследование рельефа проводили при помощи сканирующего электронного микроскопа LE0-1420 и микроинтерферометра МИИ-4. Установлено, что микроплоскости, формирующиеся непосредственно у вершины выпуклого угла маски, не являются совершенными низкоиндексными микрогранями кристалла. Определена зависимость кристаллографической ориентации плоскостей от условий эксперимента, измерены нормальные скорости травления этих плоскостей. Проведена оценка зависимости эффективной энергии активации процесса растворения изученных поверхностей от концентрации KOH = The features of micro- and nanorelief of Si (001) surface self-formed near by a right convex corner and a linear edge of a chemical mask ((110)- and (100)-oriented) under etching in aqueous KOH solutions (8-16 mol/l) at temperatures 60-80°C were studied. The relief was investigated by means of scanning electron microscope LEO-1420 and microinterferometer MII-4. The microfacets self-formed near the convex corner were found not to be perfect low index planes of the crystal. Dependence of crystallographic orientation and etch rate of the microfacets on the experimental conditions were obtained. Dependence of effective activation energy of the surfaces under investigation on KOH content was estimate