Design and Fabrication of A Carbone Nanotube Field Effect Transistor Based on Dielectrophoresis Technique and Low Cost Photolithography

في هذا البحث استخدمت تكنولوجيا التصنيع النانوي والمايكروي لبناء واختبار ترانزيستور تاثير المجال باستخدام الكاربون نانو تيوب.  تم تم تصنيع الترانسيستور على قاعدة من السليكون\ثاني اوكسيد السليكون واستخدمت تكنولوجيا الفوتوليثوكرافي باستخدام مواد رخيصة الثمن تتمثل بدايود مشع للاشعة فوق البنفسجية وقناع وذلك لعمل التشكيل المطلوب لالكترودات الترانسوستر المصنع. استخدم المبخر الحراري لتبخير مادة النحاس على سطح القاعدة. بعدها استخدمت طريقة الدايلكتروفورسز لسحب الكاربون نانوتيوب نحو الالكترودات ، اختبر الجهاز من الناحية الالكترونية . نتائج الاختبار اثبتت انه من نوع p-type وسببالتي ذلك يعود الى امتصاص جزيئات اوكسجين الجو في منطقة الاختبار من قبل الكاربونانو تيوب. ايضا كانت حركية حاملات الشحنات عالية نسبيا بمقدار 1000 سم2\فولت.ثانية تقريبا.In this work, Micro- and Nanofabrication technology was used to fabricate and demonstrate a simple Carbon nanotubes (CNTs) field effect transistors (FETs) which is constructed on Si/SiO2 substrate. Simple photolithography technique was used for patterning the photoresist using a mask and a UV LEDs. Thermal evaporator was utilized to deposit coper metal on the substrate. After liftoff, electrodes of 5 μm width and spacing of 3 μm were achieved. Deilecrophrisis technique was adopted to fetch the CNTs towards the fabricated electrode fingers.  The fabricated CNT-FETs exhibit high electron mobility, around 10000 cm2/Vs. Current transfer characteristic observed that the device has p-type semiconductor properties, which can be attributed to the oxygen molecules absorption of CNTs oxygen from the testing environment