Add to ORKG希土類ドープ窒化ガリウム半導体は狭い線幅と高い発光効率から、室温で動作する単一光子源や固体量子ビットへの応用が期待されている。しかし、その実現のためには、まず、単一希土類の観測に必要となる要素を検討し、GaN基板の選定、イオン注入条件やその後の熱処理条件の最適化が必要であることから、今回は、それら最適条件について報告する。29thICDS参加・発表のた
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的...
以Ⅲ族氮化物为材料制作的紫外发光二极管（LED）在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储以及白光照明等领域有着重要的应用。但是低量子效率和低光输出功率却制约着深紫外LED的发展。通过在量子阱和p型层间...
[[abstract]]在本篇論文中，為了提高發光二極體的發光效率，我們使用有限元素多重物理耦合模擬軟體(Comsol Multiphysics)，來對在藍光InGaN發光二極體的P型氮化鎵表面，製作...
計畫編號：NSC100-2218-E032-001 研究期間：20110501~20120731 研究經費：796,000[[abstract]]此項研究計畫的重點乃是利用機械式剝離技術來去除導電性、...
利用EGS4程序包模拟研究了6.6MeV的高能γ光子在CsI闪烁体中的运动行为,决定了探测这种能量γ光子所需CsI晶体的大小.根据模拟计算和实验的要求,设计了CsI(Tl)γ光子谱仪.用137Cs和2...
在本研究中，首先我們以氮化銦鎵半導體雷射 (406nm) 量測隨溫度變化的螢光頻譜、用 Ti:Sapphire 雷射之二倍頻 (波長391nm) 進行時域解析螢光頻譜、隨波長變化的時域解析螢光頻譜量測...
我們透過微縮元件面積、減少主動層厚度，並將表面電漿子耦合效應應用在藍、綠色發光二極體上以提高元件的調變頻寬。本論文中，我們比較三種不同的表面結構，分別為p型氮化鎵、利用氧化鎵鋅當電流擴散層和有表面電漿...
Исследовано влияние у-радиации 60Co в диапазоне доз 103 - 5 105 Гр на вольтамперные характеристики (...
Исследовано влияние у-радиации 60Co в диапазоне доз 103 - 5 105 Гр на вольтамперные характеристики (...
Исследована устойчивость структур к воздействию у-радиации 60Co. В качестве контактирующего с GaAs с...
Исследована устойчивость структур к воздействию у-радиации 60Co. В качестве контактирующего с GaAs с...
应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过800?℃,1?h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×1017?cm -3)的P-型GaN.首次报道了实验上通过Mg...
从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小....
Cette thèse a pour objectif de caractériser un système dosimétrique in vivo implantable pour la radi...
平成18~20年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書本研究ではLEDが真に照明デバイスとして用いられるために必要な配光制御を検討し、照明に適したLEDの実現を目指す。その結果、選択成長技...
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的...
以Ⅲ族氮化物为材料制作的紫外发光二极管（LED）在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储以及白光照明等领域有着重要的应用。但是低量子效率和低光输出功率却制约着深紫外LED的发展。通过在量子阱和p型层间...
[[abstract]]在本篇論文中，為了提高發光二極體的發光效率，我們使用有限元素多重物理耦合模擬軟體(Comsol Multiphysics)，來對在藍光InGaN發光二極體的P型氮化鎵表面，製作...
計畫編號：NSC100-2218-E032-001 研究期間：20110501~20120731 研究經費：796,000[[abstract]]此項研究計畫的重點乃是利用機械式剝離技術來去除導電性、...
利用EGS4程序包模拟研究了6.6MeV的高能γ光子在CsI闪烁体中的运动行为,决定了探测这种能量γ光子所需CsI晶体的大小.根据模拟计算和实验的要求,设计了CsI(Tl)γ光子谱仪.用137Cs和2...
在本研究中，首先我們以氮化銦鎵半導體雷射 (406nm) 量測隨溫度變化的螢光頻譜、用 Ti:Sapphire 雷射之二倍頻 (波長391nm) 進行時域解析螢光頻譜、隨波長變化的時域解析螢光頻譜量測...
我們透過微縮元件面積、減少主動層厚度，並將表面電漿子耦合效應應用在藍、綠色發光二極體上以提高元件的調變頻寬。本論文中，我們比較三種不同的表面結構，分別為p型氮化鎵、利用氧化鎵鋅當電流擴散層和有表面電漿...
Исследовано влияние у-радиации 60Co в диапазоне доз 103 - 5 105 Гр на вольтамперные характеристики (...
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Исследована устойчивость структур к воздействию у-радиации 60Co. В качестве контактирующего с GaAs с...
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应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过800?℃,1?h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×1017?cm -3)的P-型GaN.首次报道了实验上通过Mg...
从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小....
Cette thèse a pour objectif de caractériser un système dosimétrique in vivo implantable pour la radi...
平成18~20年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書本研究ではLEDが真に照明デバイスとして用いられるために必要な配光制御を検討し、照明に適したLEDの実現を目指す。その結果、選択成長技...
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的...
以Ⅲ族氮化物为材料制作的紫外发光二极管（LED）在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储以及白光照明等领域有着重要的应用。但是低量子效率和低光输出功率却制约着深紫外LED的发展。通过在量子阱和p型层间...
[[abstract]]在本篇論文中，為了提高發光二極體的發光效率，我們使用有限元素多重物理耦合模擬軟體(Comsol Multiphysics)，來對在藍光InGaN發光二極體的P型氮化鎵表面，製作...