GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察

高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、RF-MBE 法を用いてGaN 上およびInN上にGaInN 成長を行い、その場X 線逆格子マッピング法を用いてGaInN 成長初期過程の観察を行ったので報告する。第78回応用物理学会秋季学術講演