密度揺動と電子温度揺動を考慮した簡約化5場MHDモデルを用いてペレット入射を模擬し、密度ソースと電子温度シンクを導入し、非局所輸送のシミレーションを行った。その結果、中心の平均電子温度は周辺冷却により上昇する可能性があることを示した。ただし、周辺のソースおよびシンクの大きさやペレットの入射位置等に敏感であり、ソース・シンク印加直後から分布が緩和してしまう場合も観測された。このシミレーションでは低フーリエモード数から構成されるソースやシンクがn=0(対流胞)や低モードの非共鳴/共鳴モードへトロイダル結合により直接エネルギーを渡し、これが温度分布の大局的変化を生み出す要因であることを明らかにした。ITG乱流を考慮したシミュレーション研究は今後の課題である。閉じ込め・輸送研究会201
Рассмотрены особенности потоков плазмы, которые влияют на износ рабочей поверхности электрических ко...
Приведен анализ сравнения оценочных параметров во временной и частотной области при воздействии импу...
Спосіб плазмового травлення в хлоровуглецевій плазмі, при якому травлення проводять у плазмі, яку од...
これまでHELIOS計算機を利用して行ってきた周辺へ揺動を加えた時のプラズマコアの電子温度応答に関して報告した。モデルの違いにより応答に差は見られるが電子密度ソースと電子温度シンクの大きさを適当に調整...
Helios計算機を活用し、プラズマの非局所輸送のシミュレーション研究を行っている。プラズマの周辺部に摂動を印加し、プラズマのコアー部における電子温度分布の応答を解析した。その結果について報告する。摂...
Показано, что затухание электромагнитных волн (ЭМВ) в твердотельной плазме радиоизотопно - полупрово...
直流自我偏压作为高密度射频(RF)等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数,反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果,后者决定了刻蚀工艺的各向异性、刻蚀速率、选择比及形貌特征等工艺结果。该文以HBr作为刻...
Проведено исследование процесса формирования слоев аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) в...
Анализируется модель монотонных плазменных граничных условий у коллектора термоэмиссионного диода на...
Объектом исследования являются интегрированные ионно-плазменные процессы формирования тонкопленочных...
83-86Продемонстрированы возможности использования нагревных стендов в качестве КВ радаров путем вклю...
Приведен анализ сравнения оценочных параметров во временной и частотной областях при воздействии им...
等离子损伤(Plasma Process Induced Damage)的问题目前普遍存在于CMOS制造中。大量使用等离子增强的设备来淀积和腐蚀,还有离子注入,都会导致产生表面电势,从而产生电流流经薄...
物理モデルに基づくトカマクプラズマ・シミュレーションに計測データを融合(データ同化)することにより、近接する未来のプラズマ状態の物理量をリアルタイムで推測・予測するデータ同化シミュレーションを行う。本...
本文以二維多流體模型來模擬交流型電漿顯示器之氣體放電,放電槽內之氣體由90% He及10% Xe所組成,此放電模型包含3個一階積矩方程、帕松方程、及激發態粒子方程。藉由模擬所獲得的放電參數時變解,我們...
Рассмотрены особенности потоков плазмы, которые влияют на износ рабочей поверхности электрических ко...
Приведен анализ сравнения оценочных параметров во временной и частотной области при воздействии импу...
Спосіб плазмового травлення в хлоровуглецевій плазмі, при якому травлення проводять у плазмі, яку од...
これまでHELIOS計算機を利用して行ってきた周辺へ揺動を加えた時のプラズマコアの電子温度応答に関して報告した。モデルの違いにより応答に差は見られるが電子密度ソースと電子温度シンクの大きさを適当に調整...
Helios計算機を活用し、プラズマの非局所輸送のシミュレーション研究を行っている。プラズマの周辺部に摂動を印加し、プラズマのコアー部における電子温度分布の応答を解析した。その結果について報告する。摂...
Показано, что затухание электромагнитных волн (ЭМВ) в твердотельной плазме радиоизотопно - полупрово...
直流自我偏压作为高密度射频(RF)等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数,反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果,后者决定了刻蚀工艺的各向异性、刻蚀速率、选择比及形貌特征等工艺结果。该文以HBr作为刻...
Проведено исследование процесса формирования слоев аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) в...
Анализируется модель монотонных плазменных граничных условий у коллектора термоэмиссионного диода на...
Объектом исследования являются интегрированные ионно-плазменные процессы формирования тонкопленочных...
83-86Продемонстрированы возможности использования нагревных стендов в качестве КВ радаров путем вклю...
Приведен анализ сравнения оценочных параметров во временной и частотной областях при воздействии им...
等离子损伤(Plasma Process Induced Damage)的问题目前普遍存在于CMOS制造中。大量使用等离子增强的设备来淀积和腐蚀,还有离子注入,都会导致产生表面电势,从而产生电流流经薄...
物理モデルに基づくトカマクプラズマ・シミュレーションに計測データを融合(データ同化)することにより、近接する未来のプラズマ状態の物理量をリアルタイムで推測・予測するデータ同化シミュレーションを行う。本...
本文以二維多流體模型來模擬交流型電漿顯示器之氣體放電,放電槽內之氣體由90% He及10% Xe所組成,此放電模型包含3個一階積矩方程、帕松方程、及激發態粒子方程。藉由模擬所獲得的放電參數時變解,我們...
Рассмотрены особенности потоков плазмы, которые влияют на износ рабочей поверхности электрических ко...
Приведен анализ сравнения оценочных параметров во временной и частотной области при воздействии импу...
Спосіб плазмового травлення в хлоровуглецевій плазмі, при якому травлення проводять у плазмі, яку од...