Особливості електричних характеристик напівізолюючих кристалів CdTe-Сl

Electrical properties of semi-insulating CdTe-Cl crystals, grown by the vertical Bridgman and the travelling heater method, have been studied. It is found that the travelling heater method provides electron conductivity of the crystals, and the vertical Bridgman method - hole conductivity. Specific resistance of the samples is of (108-109) Ohm*cm at 300 K, and Hall mobility of the holes and electrons is of (45 - 55) cm2/V*sec. and (10 - 20) cm2/V*sec., respectively. Very low values of electron mobility and an exponential temperature dependence of µn are due to drift barriers with a height of εb ≈ 0,20 eV. Formation of the barriers is caused by the fluctuations of the potential relief resulting from the microheterogeneity of the defect-impurity system. Quasi-photochemical reactions that reduce electron mobility after photo-excitation have been observed in n-CdTe-Cl samples. In p-CdTe-Cl samples, neither drift barriers, nor quasi-photochemical reactions were detected. Key words: transport phenomena, scattering of charge carriers, cadmium telluride.Досліджено електричні властивості напівізолюючих кристалів CdTe-Сl, вирощених вертикальним методом Бріджмена та методом рухомого нагрівника. Встановлено, що метод рухомого нагрівника забезпечує електронну провідність, а вертикальний метод Бріджмена – діркову. При 300 К питомий опір зразків становить ρ = (108-109) Омсм, холлівська рухливість: дірок µp = (45 - 55) см2/В•с, електронів µn ≈ (10 - 20) см2/В•с. Дуже низькі значення і експоненційна температурна залежність µn зумовлені дрейфовими бар’єрами з висотою εb ≈ 0,20 еВ. Формування останніх пов’язане з флуктуаціями потенціального рельєфу за рахунок мікронеоднорідностей дефектно-домішкової системи. Крім того, в зразках n-CdTe-Cl мають місце квазіфотохімічні реакції, що полягають у зменшенні рухливості електронів після фотозбудження. В зразках p-CdTe-Cl не виявлено ні дрейфових бар’єрів, ні квазіфотохімічних реакцій. Ключові слова: явища переносу, розсіяння носіїв заряду, телурид кадмію