ETUDE COMPARATIVE DE LA METHODE DU PHOTO-COURANT CONSTANT EN REGIME PERIODIQUE (AC-CPM) ET CONTINU (DC-CPM) COMPARATIVE STUDY OF CONSTANT PHOTO-CURRENT METHOD IN PERIODIC REGIME (AC-CPM) AND CONTINUOUS REGIME (DC-CPM)

Le but de ce travail est de comparer les résultats de caractérisation des défauts profonds dans le silicium amorphe hydrogéné(a-Si : H) intrinsèque obtenus par la méthode de photo-courant constant en régime périodique (AC-CPM) et en régime continu(DC-CPM). Pour cette raison, nous avons développé un programme de simulation qui tient en compte toutes les transitionsoptiques possibles, a savoir les transitions optiques directes entre les états occupés et la bande de conduction et les transitionsoptiques indirectes entre la bande de valence ou la queue de bande de valence et les états non occupés suivie par des émissionsthermiques convenables. Nous présentons ainsi la différence observée concernant le coefficient d’absorption optique et ladensité d’états profonds entre le régime périodique (mode AC) et le régime continu (mode DC). Ceci est du aux différences quiexistent entre les deux modes en termes de transitions optiques directes et indirectes. The goal of this work is to compare the results concerning the characterization of the deep defect in the intrinsic hydrogenatedamorphous silicon (a-Si: H) by mean of constant photo-current method in periodic regime (AC-CPM) and continuous regime(DC-CPM). For this reason, we have developed a simulation computer program including all the possible thermal and opticaltransitions between gap and conduction band also those which have neglected before; between valence band or tail valenceband and non occupied deep states consistent by appropriate thermal emissions. We present the difference observed for theoptical absorption coefficient and the density of deep defect states between the periodic regime (AC mode) and the continuousregime (DC mode). We affect this difference to the ability of the AC mode to feel only the direct optical transitions betweenoccupied deep defect and conduction band