О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА

The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has been considered. We show that the formation of 3D islets of mosaic structure nanocrystallites of por-Si occurs with the participation of the adsorbed deposited silicon atoms formed as a result of disproportioning reactions at etching of silicon single crystals, as is the case for epitaxial growth of nanocrystallites with molecular beam deposition of silicon atoms on А3В5 and Si semiconductor surface and their further spontaneous self−organization. We note the significant role of oxidation of the silicon surface in the formation and self−organization of a mosaic structure of por-Si during long-term anodic etching of p-Si (100) in HF : H2O2 electrolyte quantum−size and effects occurring in local areas of atomic rough surfaces real crystal silicon.Рассмотрен процесс образования и самоорганизации мозаичной структуры поверхности пористого кремния (por-Si) при длительном анодном травлении Si (100) p-типа проводимости (p-Si) в электролитах с внутренним источником тока. Показано, что образование 3D-островков нанокристаллитов мозаичной структуры por-Si происходит с участием осажденных адсорбированных атомов кремния, образующихся в результате реакций диспропорционирования при травлении монокристалла кремния, как это имеет место в случае эпитаксиального роста нанокристаллитов при молекулярно-лучевом осаждении атомов кремния на поверхности полупроводников АIIIВV и Si и их дальнейшем спонтанном самоупорядочении. При этом учтены квантово-размерные эффекты, имеющие место на локальных участках атомно-шероховатой поверхности реального кристалла кремния. Отмечена существенная роль окисления поверхности кремния в процессе образования и самоорганизации мозаичной структуры por-Si при длительном анодном травлении p-Si (100) в электролите HF : Н2О2