Aplicación de la teoría del funcional de la densidad dependiente del tiempo para el estudio de las características plasmónicas de nano cintas de grafeno.

El carácter plasmónico de nanocintas de grafeno de las familias 3p, 3p+1 y 3p+2, fue investigado con la Teoría del Funcional de la Densidad Dependiente del Tiempo y la Aproximación en Fase Aleatoria, este carácter se simuló por la incidencia de un haz de radiación a energías por debajo de los 20 eV, con un momentum q inferior a 3.252 x 10 Bohr -1 tanto en condiciones intrínsecas, es decir analizando el efecto que provoca el aumento de la temperatura de 300K a 900K y en condiciones extrínsecas , estudiando la influencia del dopaje, este efecto se analizó modificando la energía el valor de la del Nivel de Fermi. El análisis de la función de perdida de energía (ELOSS) se hizo a base de las fluctuaciones de densidad de carga inducidas, es decir tomando en cuenta las resonancias de plasmón y dispersiones correspondientes, que se produjeron en la región de impulso de energía investigada cuando el haz de radiación incidió. Observándose así que a energías mayores a 2.5eV, tuvieron lugar dos excitaciones de plasmón análogas a las excitaciones del grafeno monocapa a 3eV y 13 eV respectivamente. A energías menores a 2eV se observó que se generaron dos excitaciones conocidas como excitaciones interbanda e intrabanda cuya intensidad y activación dependió del valor de la temperatura y el dopaje aplicado en cada caso. Concluyéndose que la detección de plasmones genuinos tuvo lugar únicamente en los casos en los que el dopaje estuvo presente (condiciones extrínsecas).This research was about the study of Graphene nanoribbon plasmonic character from 3p, 3p+1, and 3p+2 group, it was researched with the Time-dependent density functional theory (TD DFT) and the random phase approximation (RPA). This character was simulated due to the incidence of a radiation beam with energy under 20 eV with a momentum which under 3.252 x 10 -3 Bohr -1 was simulated in two conditions. Intrinsic, which analyzed the effect caused by the increase of temperature from 300K to 900K; in extrinsic conditions, the doping influence was studied; this effect was analyzed modifying the energy value of Fermi level. The energy loss function analysis (ELOSS) was based on the fluctuations of induced charge density, it is to say that Plasmon resonance were taken into account as well as the corresponding dispersions occurring in the energy-momentum region when the radiation beam had incidence. At energies higher than 2.5 eV, two analog Plasmon structures at monolayer graphene structures at 3eV and 13 e V respectively. At energies lower than 2eV, it was possible to observe the generation of two structures known as interband and intraband, their intensity and activation was up to the temperature value and doping applied in each one of the cases. It was concluded that the detection of genuine plasmons took place only in the extrinsic case