Mechanical characteristics of surface layers of silicon at bombardment by the accelerated ions

Приведены результаты изучения влияния бомбардировки кремния ионами бора и кремния на его микротвердость и трещинообразование. Измерения велись продавливанием слоев алмазным индентором при изменяющейся нагрузке. Показана роль электрически активных центров и точечных дефектов, образующихся при ионной бомбардировкеНаведені результати вивчення впливу бомбардування кремнію іонами бора і кремнію на його мікропластичність, твердість та щілиноутворення. Вимірювання велось продавленням прошарків алмазним інденторомThe results of learning of influence of bombardment of silicon by ions of boron and silicon on its microhardness, cracking resistance are indicated. The measurements were carried out by pressure of diamond indentor into a stratu