Структурні і фазові особливості формування квазікристалічних плівок Ti-Zr-Ni при нагріванні

У роботі описуються особливості вирощування тонких плівок Ti-Zr-Ni методом магнетронного розпилення мішеней складу Ti53Zr30Ni18 та Ti41Zr38.3Ni20.7 на підкладки при Т = 300 K з наступним відпалом у вакуумі. Вивчено особливості формування фазового складу, структури та термічної стабільності тонких плівок квазікристалів. Встановлено, що плівки у вихідному стані є рентгено-аморфними, або нанокристалічними з розміром областей розсіювання згідно Шерреру близько 1.6-1.8 нм незалежно від елементного складу мішені, яка розпилювалась. Ця структура є відносно стабільною до температури 673 K, при якій починається формування квазікристалічної фази. В плівках складу Ti53Zr30Ni18 найбільша кількість квазікристалічної фази, яка характеризується параметром квазікристалічності aq = 0.517 нм, спостерігається при температурі відпалу 673 K. Вона доповнюється домішкою W-фази кристала-апроксиманта 1/1. В плівках складу Ti41Zr38.3Ni20.7 оптимальна температура відпалу знаходиться між 823 K та 873 K. Квазікристалічна фаза характеризується параметром квазікристалічності aq = 0.5205 нм. Крім того, вперше отримані дані про формування 2/1 кристалічного апроксиманту як фази домішки. При відпалу за температур понад 873 K встановлено розпад фаз квазікристала та апроксиманта на стабільні при високих температурах кристалічні фази згідно діаграмою рівноваги.The paper describes the growth features of thin Ti-Zr-Ni films prepared by the method of magnetron sputtering of the targets with compositions Ti53Zr30Ni18 and Ti41Zr38.3Ni20.7 on the substrates at 300 K with subsequent annealing in vacuum. The formation peculiarities of phase composition, structure and thermal stability of quasicrystalline thin films were studied. It was established that in initial state the films were X-ray-amorphous or nanocrystalline with coherence lengths (according to Scherrer) near 1.6-1.8 nm independently on the element composition of the sputtered target. This structure is relatively stable up to the temperature 673 K when the formation of the quasi-crystalline phase begins. In the films with composition of Ti53Zr30Ni18, the largest quantity of the quasicrystalline phase with a characteristic parameter aq = 0.517 nm is observed at the annealing temperature of 673 K. It is added with an admixture of the 1/1 W-crystal approximant phase. In the films with Ti41Zr38.3Ni20.7 composition, an optimal annealing temperature is between 823 K and 873 K. The quasicrystalline phase is characterized by the quasicrystallinity parameter aq = 0.5205 nm. Additionally, for the first time, the data on the formation of 2/1 approximant crystal as an admixture phase in this system were obtained. Under annealing at the temperatures higher than 873 K, the decomposition of the quasi-crystalline and approximant phases into crystalline phases stable at higher temperatures according to the equilibrium phase diagram was established