Functionalization of Silicon Surface by Self-Organized Germanium Structures

Шляхом хімічного осадження розчину на основі германію здійснено обробку поверхні кремнієвих пластин. За допомогою Фур’є-спектрів інфрачервоного поглинання проаналізовано особливості хіміч- них зв’язків в приповерхневій області пластин Si після їх функціоналізації. З використанням методу кінетики загасання поверхневої фото-ЕРС досліджено особливості процесів рекомбінації фотогенеро- ваних носіїв заряду після обробки поверхні кремнію. Виявлено, що запропонована методика функціо- налізації поверхні зумовлює збільшення часу релаксації нерівноважних носіїв заряду.Путем химического осаждения германиевого раствора выполнено обработку поверхности кремни- евых пластин. Особенности химических связей в приповерхностной области кремниевых пластин по- сле функционализации исследованы при помощи спектров инфракрасного поглощения. С использованием метода кинетики затухания поверхностной фото-ЭДС исследовано особенности процессов рекомбинации фотогенерированных носителей заряда после обработки поверхности кремния. Установлено, что предлагаемая методика функционализации поверхности кремния является причиной увеличения времени релаксации неравновесных носителей зарядов.Using of chemical deposit technique the silicon wafer surface functionalized out by germanium precursor. With the help of Fourier spectra of infrared absorption, the features of chemical bonds in the nearsurface region of Si plates after their functionalization are analyzed. Using the method of SPV, features of the processes of recombination of photogenic charge carriers after processing of the surface of silicon investigated. It is revealed that the proposed method of surface functionalization causes an increase in the relaxation time of nonequilibrium charge carriers