ANALISIS STRUKTUR KRISTAL LAPISAN TIPIS BaZr0,2Ti0,8O3 YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL GEL

ANALISIS STRUKTUR KRISTAL LAPISAN TIPIS BaZr0,2Ti0,8O3 YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL GEL. Penumbuhan lapisan tipis BaZr0,2Ti0,8O3 menggunakan metode sol gel yang disiapkan dengan spin coater telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Si. Bariumasetat, zirconium isoproponol, titanium isopropoksid digunakan sebagai bahan pembuat BZT dan asam asetat serta etilen glicol digunakan sebagai pelarut. Ada tiga prinsip dasar pembentukan lapisan tipis menggunakan metode sol gel yaitu proses kimia (pembuatan larutan), penumbuhan lapisan menggunakan spin coater, dan proses termal (annealing). Variasi jumlah lapis dilakukan untuk mendapatkan lapisan yang diinginkan. Sedangkan kecepatan dan waktu putar, suhu annealing, waktu annealing dibuat sama yaitu 3000 rpm selama 30 detik dengan 800 oC selama 3 jam. Karakterisasi yang dilakukan meliputi uji menggunakan alat X-Ray Flurosence (XRF) untuk mengetahui komposisi lapisan tipis BZT dan X-Ray Diffraction (XRD) untuk mengetahui struktur kristal. Hasil karakterisasi menggunakan XRF menunjukkan bahwa unsur-unsur pembentuk BZT telah terdeposit di atas substrat Si. Makin banyak jumlah lapisan maka makin banyak unsur-unsur pembentuk BZT. Hasil karakterisasi menggunakan XRD menunjukkan kekristalan lapisan tipis BZT. Hal ini ditunjukkan dengan munculnya beberapa puncak yang teridentifikasi sebagai milik BZT setelah dicocokkan dengan ICDD database. Hal ini diperkuat dengan penghalusan menggunakan program General Stucture Analysis System (GSAS). Makin banyak jumlah lapis makin tinggi intensitas pada suatu orientasi bidang tertentu