Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating

Lapisan tipis TiO2 doping Cu telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat kaca dengan teknik spin coating. Lapisan tipis TiO2: Cu dibuat dengan konsentrasi doping 1 hingga 10 wt.% dengan suhu annealing 500oC. Hasil analisis spektrum transmitansi pada daerah UV-Vis menunjukkan bahwa lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan suhu annealing 500oC memiliki energy gap untuk transisi langsung sebesar 3,51-3,59 eV dan untuk transisi tidak langsung sebesar 3,26-3,57 eV. Energy gap paling sempit yang dapat dicapai pada lapisan tipis TiO2: Cu dengan suhu annealing 500oC adalah pada konsentrasi Cu 8%. Penggunaan doping Cu dapat memperlebar spektrum serapan cahaya dari lapisan tipis TiO2 sehingga lapisan tipis TiO2: Cu dapat diaplikasikan sebagai anti pantulan pada sel surya