Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui struktur kristal dan sifat optik semikonduktor lapisan tipis Cadmium Sulfida (CdS) hasil preparasi dengan teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT). Proses pendeposisian lapisan tipis CdS dilakukan dalam reaktor vertikal yang telah divakumkan dengan memberikan jarak (spacer) antara substrat dan sumber sebesar 3 mm, serta pemanasan pada suhu 600℃. Hasil lapisan tipis dikarakterisasi menggunakan X-Ray Difraction(XRD) untuk menentukan struktur dan parameter kisi kristal yang terbentuk, menggunakan Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX) dan Scanning Electron Microscope (SEM) berturut- turut untuk mengetahui komposisi kima dan morfologi permukaan. Selanjutnya sifat optik dalam hal energi gap ditentu...