Caratterizzazione dinamica in regime di grandi segnali di effetti dispersivi in bassa frequenza in FET III-V

La modellistica a grande segnale di dispositivi FET III-V, quando sono richieste elevate capacità di predizione, non può essere basata semplicemente sulle caratteristiche DC i/v. Infatti, devono essere presi in considerazione i fenomeni dispersivi dovuti ad autoriscaldamento eo alla presenza di trappole (stati superficiali e livelli profondi) essendo questi la causa di importanti deviazioni nelle caratteristiche dinamiche della corrente di drain a bassa frequenza. Per tale motivo risulta necessario sostituire alle semplici caratteristiche statiche un idoneo modello che tenga conto della presenza di effetti dispersivi in bassa frequenza. Diversi approcci sono stati proposti dalla comunità scientifica e spesso la caratterizzazione tramite sistemi di misura i/v impulsati è stata indicata come la più appropriata per l’identificazioni di modelli a grande segnale ed a bassa frequenza. Quale possibile alternativa a tali sistemi di misura, dedicati ed altresì alquanto costosi, viene adottato in questo lavoro un nuovo sistema di misura a grande segnale, basato semplicemente su eccitazioni sinusoidali a bassa frequenza, facilmente riproducibile con strumentazione convenzionale e general-purpose. Il sistema viene impiegato per estrarre due modelli per la descrizione delle caratteristiche i/v dinamiche a bassa frequenza di dispositivi PHEMT. Nel lavoro vengono anche mostrate le capacità di predizione di entrambi i modelli ed il confronto con misure di intermodulazione a 40GHz