Propriétés des parois d'antiphase dans les alliages ordonnés fer˗silicium

Antiphase boundaries formed in the course of growth and cooling of single crystals of Fe-Si alloys containing from 10 to 24 atomes % Si were studied. They were chiefly examined by transmission electron microscopy. It is shown that the contrast of boundaries with displacement vectors 1/4 a'₀ and 1/2 a'₀ approximately parallel to the electron beam is qualitatively different for high and low Si contents. These boundaries with vector 1/2 a'₀ show an anomalous contrast even in superlattice reflections for which theory predicts zero contrast. In a certain concentration region the boundaries of both types have preferred crystallographic orientations (planes {100}). Some contrast of boundaries was observed even in the fundamental reflections. The contrast of boundaries parallel to the beam and anomalous contrast of boundaries with 1/2 a'₀ vector can be explained by the existence of a disordered layer several atomic planes thick. The preferred crystallographic orien¬ tation shows that the energy of the boundaries cannot be derived from the simple model according to the Bragg-Williams theory. It is suggested that the energy is influenced by the lattice deformation which is proved by the contrast of boundaries in the fundamental reflections.Des parois d'antiphase formées pendant la croissance et le refroidissement des monocristaux des alliages Fe-Si de composition entre 10 et 24 atomes Si % ont été étudiées et observées au microscope électronique par transmission. Il est démontré que le contraste des parois de vecteur de faute 1/4 a'₀ et 1/2 a'₀ approximativement parallèles au faisceau d'électrons est différent en qualité pour les alliages de haute et basse teneur du Si. Ces parois de vecteur 1/2 a'₀ montrent un contraste anormal même pour les réflexions de surstructure, pour lesquelles le contraste est nul selon la théorie. Les parois des deux types ont des directions cristallographiques préférentielles (le plan {100}) dans un certain domaine de concentration. Un contraste des parois a été observé même pour les réflexions fondamentales. Le contraste des parois parallèles au faisceau et le contraste anormal des parois de vecteur 1/2 a'₀ peuvent être expliqués par l'existence d'une couche désordonnée d'épaisseur de plusieurs plans atomiques. L'orientation cristallographique préférentielle montre que l'énergie des parois ne peut être dérivée du simple modèle suivant la théorie de Bragg-Williams. Il est suggéré que cette énergie est influencée par la déformation du réseau mise en évidence par le contraste des parois pour les réflexions fondamentales.Gemperle A. Propriétés des parois d'antiphase dans les alliages ordonnés fer˗silicium. In: Bulletin de la Société française de Minéralogie et de Cristallographie, volume 91, 6, 1968. Réunion annuelle de l'Association Française de Cristallographie, Toulouse, 18-20 mars 1968