Polytypism of SnS2 crystals grown by chemical transport ; effect of growth conditions on the structure of polytypes

Tin disulphide single crystals have been grown by chemical transport in the temperature range 400-900°C. A total of about 1500 crystals were examined by X-ray diffraction. Relationships between growth conditions (temperature and crystallization environment) and the polytypic structures of the crystals have been determined. Relative frequencies of occurrence of basic structures of SnS2 : 2H, 4H and 18R strongly depend on growth conditions. Large period polytypes are combined of the layer stackings corresponding to basic structures and they form in the crystals only in the presence of 2 or 3 basic structures.La croissance de monocristaux de disulfure d'étain est obtenue par transport chimique dans le domaine de température 400-930°C. Environ 1500 cristaux ont été examinés par diffraction des rayons X. On détermine les relations entre les conditions de croissance (température et environnement de cristallisation) et la structure polytypique des cristaux. Les fréquences relatives d'apparition des structures de base de SnS2 : 2H, 4H et 18R dépendent fortement des conditions de croissance. Les polytypes de large période sont formés d'empilements de couches correspondant aux structures de base et ils ne se forment dans le cristal qu'en présence de 2 ou 3 structures de base.Paƚosz Bogdan, Paƚosz Witold, Gierlotka Stanisƚaw. Polytypism of SnS2 crystals grown by chemical transport ; effect of growth conditions on the structure of polytypes. In: Bulletin de Minéralogie, volume 109, 1-2, 1986. Polytypes