計畫編號:NSC96-2112-M032-008-MY3研究期間:200908~201007研究經費:1,138,000[[abstract]]本計畫的目標是開發鐵電性與鐵磁性共存之功能型多鐵性材料,希望找到 具有龐磁電效應的新材料;並試著利用順磁離子參雜產生的磁稀釋效應或 化學壓力來改變系統自旋的受挫程度,或利用基板的應力效應與退火條件 來調整薄膜樣品的電極化強度,以提昇現存的多鐵性材料之磁電耦合強 度。我們亦將使用脈衝雷射蒸鍍法製作以多鐵性材料(反鐵磁)為絕緣層,巨 磁阻(鐵磁)為電極的磁穿隧結。藉由電場(電壓)極性的改變來調整多鐵性材 料層的磁化方向,利用存在於鐵磁-反鐵介面間的交換偏置場來改變巨磁阻 層的自旋組態,探討電壓調控磁穿隧結之磁組態的可行性。實驗上,我們 將在外加磁場的環境下測量樣品的電極化強度、介電常數、磁性、比熱、 拉曼光譜,有系統地研究多鐵性材料複雜的磁電性質與晶體對稱性、磁結 構之間的關聯性,預期對多鐵性材料自旋、電荷、晶格自由度間的耦合機 制有更完整的理解,這對設計更有智慧的磁電材料並調控其功能性以符合 磁紀錄鐵電儲存元件的需求是極為重要的。 We propose to search for new classes of multiferroics which have colossal magnetoelectric effects and to optimalize coupling between magnetization and electrical polarization of existing systems by means of paramagnetic doping induced magnetic dilution, mod...
近年來由於石墨烯的發現,人們對二維系統材料產生極大興趣。因單層之過渡金屬二硫化物MX2(M=Ta,Nb,V和X=S,Se)具有強自旋軌道耦合及鏡面對稱性破壞,在此篇論文中,我使用膺勢能及平面波方法配合...
計畫編號:NSC94-2113-M032-008研究期間:200508~200607研究經費:1,078,000[[abstract]]本計畫的第一部份欲成長具有電/磁雙功能的有機-無機電荷轉移錯合 ...
計畫編號:NSC99-2112-M032-004-MY3 研究期間:201008~201107 研究經費:1,701,000[[abstract]]本計畫的研究目標是探討局部晶格扭曲、結構相變以及參雜...
計畫編號:NSC96-2112-M032-008-MY3研究期間:200708~200807研究經費:1,598,000[[abstract]]本計畫的目標是開發鐵電性與鐵磁性共存之功能型多鐵性材料,...
[[abstract]]在過去三年的整合型計畫中,我們主要研究的目標在於使用分子磊晶術、熱蒸鍍、和濺鍍所成長新潁磁性薄膜及超晶格,進而研究了毫微米級鑄型薄膜之微觀磁區結構及電子傳輸行為。本計畫為第二子...
在此論文中,我們利用第一原理計算研究多鐵材料Cu3Mo2O9的磁性、電子態及多鐵性質。我們發現在此系統中,電子與電子間的庫倫排斥力必須被考慮,以致於導帶與價帶間能隙能夠被良好地描述。由於晶體結構所導致...
計畫編號:MOST 107-2221-E-032-029研究期間:107年08月01日至108年07月31日研究經費:653千元壓電與壓磁材料已被廣泛地使用在許多智慧型的結構元件上,常見的應用有磁感測...
[[abstract]]本年為三年期整合型計畫的最後一年,在過去三年研究期間,我們持續探討微磁學相關的部分,除了靜態磁區的形成與分佈,同時透過磁阻的量測,進一步的探討了主要內容涵蓋如下:透過磁力顯微儀...
[[abstract]]在本三年期整合型計畫第一年研究期間,我們持續探討微磁學相關的部分涵蓋(一)微米級鎳鐵環;(二)磁通動力學;及(三)磁點為催化之碳奈米管生成。就研究成果而言,接續去年七月之前發表...
利用低溫分子束磊晶的方法,在兩種砷化鎵基板上成長具奈米微結構之鍺錳鐵磁性半導體:磊晶型砷化鎵基板(Ga-GeMn)及非晶質砷覆蓋之砷化鎵基板(As-GeMn)。 在Ga-GeMn試片,鍺錳薄膜...
本論文主要在研究多層膜之垂直異向性結構組成及其介面特質,本實驗多層膜選取的材料為鐵磁性的鈷(Co)以及貴重金屬的鉑(Pt),並利用濺鍍(Sputtering)系統來製作(鈷/鉑)多層膜樣品,最初的實驗...
Ba(OH)2・8H2Oと針状α-FeOOHの均質な混合物を空気中,500〜1200℃で1時間焼成した後,急冷して針状バリウムフェライト微粒子を作製した.800℃以下の焼成温度では磁化がほとんどなかっ...
本论文将二茂铁基团引入聚苯胺链,合成导电或导磁聚苯胺。取得的主要结果如下: 1、合成了抗磁性的二茂铁单磺酸并用于掺杂聚苯胺,掺杂态聚苯胺的电导率可达2.34´10-1 S/cm,二茂铁单磺...
本文主要是在探討鐵電材料因晶域翻轉而產生致動應變的力電耦合模型,在滿足力電諧和條件的情況下模擬菱方鐵電晶體內部晶域翻轉的機制,模擬使用的材料為鈦酸鋇(BaTiO3),近年來已有許多人做有關於正方晶(T...
鐵磁形狀記憶合金是一個同時具有鐵磁性以及鐵彈性的材料,由於內部微結構排列與演化使其具有多功能的特性,近年來廣泛的被研究。為了正確的使用這些材料,分析與模擬材料內部微結構是極重要的課題,因此從相場法著手...
近年來由於石墨烯的發現,人們對二維系統材料產生極大興趣。因單層之過渡金屬二硫化物MX2(M=Ta,Nb,V和X=S,Se)具有強自旋軌道耦合及鏡面對稱性破壞,在此篇論文中,我使用膺勢能及平面波方法配合...
計畫編號:NSC94-2113-M032-008研究期間:200508~200607研究經費:1,078,000[[abstract]]本計畫的第一部份欲成長具有電/磁雙功能的有機-無機電荷轉移錯合 ...
計畫編號:NSC99-2112-M032-004-MY3 研究期間:201008~201107 研究經費:1,701,000[[abstract]]本計畫的研究目標是探討局部晶格扭曲、結構相變以及參雜...
計畫編號:NSC96-2112-M032-008-MY3研究期間:200708~200807研究經費:1,598,000[[abstract]]本計畫的目標是開發鐵電性與鐵磁性共存之功能型多鐵性材料,...
[[abstract]]在過去三年的整合型計畫中,我們主要研究的目標在於使用分子磊晶術、熱蒸鍍、和濺鍍所成長新潁磁性薄膜及超晶格,進而研究了毫微米級鑄型薄膜之微觀磁區結構及電子傳輸行為。本計畫為第二子...
在此論文中,我們利用第一原理計算研究多鐵材料Cu3Mo2O9的磁性、電子態及多鐵性質。我們發現在此系統中,電子與電子間的庫倫排斥力必須被考慮,以致於導帶與價帶間能隙能夠被良好地描述。由於晶體結構所導致...
計畫編號:MOST 107-2221-E-032-029研究期間:107年08月01日至108年07月31日研究經費:653千元壓電與壓磁材料已被廣泛地使用在許多智慧型的結構元件上,常見的應用有磁感測...
[[abstract]]本年為三年期整合型計畫的最後一年,在過去三年研究期間,我們持續探討微磁學相關的部分,除了靜態磁區的形成與分佈,同時透過磁阻的量測,進一步的探討了主要內容涵蓋如下:透過磁力顯微儀...
[[abstract]]在本三年期整合型計畫第一年研究期間,我們持續探討微磁學相關的部分涵蓋(一)微米級鎳鐵環;(二)磁通動力學;及(三)磁點為催化之碳奈米管生成。就研究成果而言,接續去年七月之前發表...
利用低溫分子束磊晶的方法,在兩種砷化鎵基板上成長具奈米微結構之鍺錳鐵磁性半導體:磊晶型砷化鎵基板(Ga-GeMn)及非晶質砷覆蓋之砷化鎵基板(As-GeMn)。 在Ga-GeMn試片,鍺錳薄膜...
本論文主要在研究多層膜之垂直異向性結構組成及其介面特質,本實驗多層膜選取的材料為鐵磁性的鈷(Co)以及貴重金屬的鉑(Pt),並利用濺鍍(Sputtering)系統來製作(鈷/鉑)多層膜樣品,最初的實驗...
Ba(OH)2・8H2Oと針状α-FeOOHの均質な混合物を空気中,500〜1200℃で1時間焼成した後,急冷して針状バリウムフェライト微粒子を作製した.800℃以下の焼成温度では磁化がほとんどなかっ...
本论文将二茂铁基团引入聚苯胺链,合成导电或导磁聚苯胺。取得的主要结果如下: 1、合成了抗磁性的二茂铁单磺酸并用于掺杂聚苯胺,掺杂态聚苯胺的电导率可达2.34´10-1 S/cm,二茂铁单磺...
本文主要是在探討鐵電材料因晶域翻轉而產生致動應變的力電耦合模型,在滿足力電諧和條件的情況下模擬菱方鐵電晶體內部晶域翻轉的機制,模擬使用的材料為鈦酸鋇(BaTiO3),近年來已有許多人做有關於正方晶(T...
鐵磁形狀記憶合金是一個同時具有鐵磁性以及鐵彈性的材料,由於內部微結構排列與演化使其具有多功能的特性,近年來廣泛的被研究。為了正確的使用這些材料,分析與模擬材料內部微結構是極重要的課題,因此從相場法著手...
近年來由於石墨烯的發現,人們對二維系統材料產生極大興趣。因單層之過渡金屬二硫化物MX2(M=Ta,Nb,V和X=S,Se)具有強自旋軌道耦合及鏡面對稱性破壞,在此篇論文中,我使用膺勢能及平面波方法配合...
計畫編號:NSC94-2113-M032-008研究期間:200508~200607研究經費:1,078,000[[abstract]]本計畫的第一部份欲成長具有電/磁雙功能的有機-無機電荷轉移錯合 ...
計畫編號:NSC99-2112-M032-004-MY3 研究期間:201008~201107 研究經費:1,701,000[[abstract]]本計畫的研究目標是探討局部晶格扭曲、結構相變以及參雜...