Modelación y simulación en matlab de la operación de un diodo de unión PN de silicio basada en teoría de semiconductores

El presente artículo tiene como principal objetivo realizar el estudio del modelado matemático de los dispositivos semiconductores de unión PN y los factores que pueden alterar su funcionamiento, poniendo mucho énfasis en los pasos que se deben de tener en cuenta para obtener las ecuaciones matemáticas en función del tiempo, para poder comprender esto de mejor manera se hace uso de un software matemático, en este proyecto se emplea el programa Matlab con sus interfaces y Simulink. Se prepara un escenario de investigación (desarrollo de un circuito) se hace uso de varios sensores conectados a una tarjeta Arduino, se emplea la interfaz Guide del programa Matlab el cual va a permitir demostrar gráficamente los datos obtenidos en el modelado, empleando la herramienta Simulink también se va a realizar una comparación entre esta y los resultados obtenidos en el escenario de investigación. En los resultados obtenidos y analizados, se puede observar como la temperatura cumple un importante papel respecto a la corriente de saturación del diodo, se pudo observar el papel que cumple el modelado matemático en la enseñanza como una gran herramienta que nos permite comprender el comportamiento del diodo semiconductor de Silicio.The main purpose of this article is to study the mathematical modeling of PN semiconductor devices and the factors that can alter their operation, placing much emphasis on the steps that must be taken into account to obtain the mathematical equations according to the time, in order to understand this better use is made of a mathematical software, in this project the Matlab program is used with its interfaces and Simulink. A research scenario (development of a circuit) is made use of several sensors connected to an Arduino board, using the Guide interface of the Matlab program which will allow to graphically demonstrate the data obtained in the modeling, using the Simulink tool a comparison will also be made between this and the results obtained in the research scenario. In the results obtained and analyzed, it is possible to observe how the temperature plays an important role with respect to the current of saturation of the diode, it was possible to observe the role of mathematical modeling in teaching as a great tool that allows us to understand the behavior of the silicon semiconductor diode