ESTUDIOS POR FOTORREFLECTANCIA Y AUGER DE LA REACTIVIDAD DE PELICULAS DE CdTe SOMETIDAS A FLUJOS DE Zn o Se.

It presents the results obtained of the optical characterization by means of Photoreflectance and Auger of CdTe/GaAs(001) heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE). CdTe films were grown on GaAs substrates with thickness around 100 A. each one of these films was exposed to a Zn or Se flux separately. The changes in the lineshape of the photoreflectance, as well as the increase in the critical points E0 and E0+ �¢ 0 intensity in GaAs spectums are indicating the reactivity in the CdTe/GaAs- hetreroestructure surface.Se presentan los resultados obtenidos de la caracterizacion optica por medio de la tecnica de Fotorreflectancia (FR) y Auger de heteroestructuras de CdTe/GaAs crecidas por epitaxia de haces moleculares (Molecular Beam Epitaxy, MBE). Las peliculas de CdTe fueron crecidas sobre substratos de GaAs con espesores nominales de 100 A. Cada una de estas peliculas fue expuesta separadamente a flujos de Zn o Se. El cambio en la forma de linea y el incremento de la senal en los puntos criticos E0 y E0+ �¢ 0 en el espectro de FR del GaAs es un indicativo de la reactividad que se presenta en la superficie de la heteroestructura de CdTe/GaAs