Modellierung und Simulation memristiver Bauelemente

Die Entwicklung bestehender und neuer memristiver Bauelemente setzt ein genaues Verständnis des physikalischen Verhaltens dieser voraus. Im Rahmen dieser Arbeit wurden Simulationsmodelle für unterschiedliche memristive Bauelemente entwickelt, die maßgeblich zum Verständnis des Verhaltens dieser Bauelemente beitragen können. So wurden im Rahmen dieser Arbeit digital schaltende Ag/TiO\(_{x}\)/Pt-ECM-Zellen und TiN/Ti/HfO\(_{2}\)/TiN-VCM-Zellen sowie analog schaltenden Au/NbO\(_{x}\)/Al\(_{2}\)O\(_{3}\)/Al/Nb-Doppelbarrierenbauelemente untersucht. Die Simulationsergebnisse wurden durchgehend mit experimentellen Ergebnissen verglichen. Ausgehend von den gewonnenen Erkenntnissen wurde auf der einen Seite ein auf Legierungsclustern basierendes, analog schaltendes, memristives Bauelement entwickelt. Auf der anderen Seite wurde ein konzentriertes Modell des Doppelbarrierenbauelements entwickelt. Dieses Modell ist 10\(^{5}\) mal schneller als das Modell mit verteilten Parametern