Photothermische Mikroskopie an Ionenstrahl-strukturierten Halbleitern und Halbleiterbauelementen

In der vorliegenden Arbeit wurde die photothermische Mikroskopie, basierend auf der photo-thermisch modulierten optischen Reflexion (PMOR), zur Untersuchung von Halbleitern bzw. deren Modifikation mittels Ionenstrahlen eingesetzt, und die experimentellen Techniken wurden insbesondere für die Analyse von Halbleiterbauelementen weiterentwickelt. Durch optische Anregung gekoppelter Oszillationen von Temperatur und Ladungsträgerdichte in der Probe konnten thermische und elektronische Materialeigenschaften sowie deren Beeinflussung durch Ionenstrahlimplantation bestimmt werden. Darüber hinaus wurden Doppelmodulationstechniken entwickelt, bei denen zusätzlich zur optischen Anregung eine elektrische Heizung der Bauelemente vorgenommen wurde. Dies ermöglichte eine detailliertere Analyse der implantierten Strukturen, wenn die PMOR bei rein optischer Anregung und Detektion auf der Anregungsfrequenz keine ausreichende Information mehr über die dünnen Schichten von Halbleiterbauelementen geben kann