Magnetoresistance and anomalous hall effect of \(Cu_{2}MnAl\), \(Co_{2}MnSi\) and \(Co_{2}MnGe\) Heusler alloy thin films

In der Dissertation werden die Magneto-Transporteigenschaften der im Titel genannten Heusler-Legierungen untersucht. Die Filme wurden bei Raumtemperatur hergestellt und sind danach zunächst in einem nanokristallinen Zustand. Durch sukzessives Anlassen bei Temperaturen oberhalb von 300°C stellt sich die strukturelle \(L2_{1}\)-Ordnung ein. Mit zunehmender struktureller Ordnung ändern sich die Magneto-Transporteigenschaften. Im Zustand direkt nach der Herstellung hat der Widerstand ein negatives \(\it dp/dT\) und das typische Verhalten von schwacher Lokalisierung. Nach dem Tempern wird \(\it dp/dT\) positiv und man beobachtet einen Spinunordnungs-Magnetwiderstand. Der anomale Hall-Effektes (AHE) ist in der nanokristallinen Phase ungewöhnlich groß, was man auf einen sehr effektiven spinabhängigen Streuprozess an den Korngrenzen zurückführen kann